第一题:证明题

证明实际硅锗中导带底附近状态密度公式为……

第二题3块半导体分别告诉电子浓度然后求空穴浓度判别导电类型（送温暖题但是以往卷子给的参考数据ni是1.5×10的10次方今年是1.0

所以发下卷子先看看参考数据什么的别用习惯了平时用的惯常数据）

第三题:给出一个半导体样品的空穴浓度坐标图（p(0)线性递减到po然后保持）

（1）求空穴电流密度Jp(x)并画图

(2)为了抵消这些空穴电流求外加电场的表达式并画出曲线

第四题:锌在Si作为双重受主告知EA1，EA2与Ev的关系(禁带Eg已知)求若完全补偿ND等于10的16次方的Si需要掺锌的浓度是？

第五题:(1)解释PN结势垒电容和扩散电容的形成机制以及相应特点

(2)相应的关于PN结俩类电容的计算

第六题:名词解释

通过复合时多余能量的释放形式可以划分为哪几种复合形式(辐射俄歇多声子）

何为半导体的磁阻效应

微电子器件题(3道)

第七题:双极性二极管(BJT)的计算求阿尔法贝塔具体的东西不太记得了总之是很常规的题

第八题:关于平带电压的计算VFb

第九题:MOSFET题根据题目内容可以判断是不饱和情况下直接用萨之唐方程列俩个二元一次方程